存储周期是否见顶？请参考美国银行的基本面分析

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原报告：BofA Global Research《Global Memory Tech》，2026 年 7 月 2 日

编译 & 整理：DaiDai，MSX 麦通

市场迅速为近期的下跌寻找了三条看似合理的理由：Meta计划向外部出售一部分计算能力，可能暗示其数据中心建设已出现过剩；苹果正在评估长鑫存储的DRAM，或将打破三星电子、SK海力士和美光的供给格局；韩国还公布了大规模的半导体产业集群计划，进一步加剧了对未来供给过剩的担忧。

这三条观点最终指向同一结论：需求可能已达到顶峰，而供给即将增加，存储超级周期可能已经接近尾声。

然而，美国银行在最新一期的《Global Memory Tech》报告中提出的观点正好与此相反。

他们认为，虽然上述风险并非不存在，但市场显著高估了它们对短期供需格局的影响。无论是云计算公司的资本支出、韩国半导体的出口，还是DRAM与NAND的现货及合约价格，都尚未显示出存储周期已经出现方向性逆转的迹象。

实际上，发生的变化并非基本面由强转弱，而是行业在经历了大幅涨价和股价重估后，逐步进入一个基本面依然强劲、但交易难度显著增加的新阶段。

市场对Meta的忧虑源于一个看似合理的推测：如果Meta开始向外部客户开放数据中心或出售云服务，是否意味着公司之前采购了过多的服务器，内部业务无法消化现有计算能力？

如果答案是肯定的，那么GPU、HBM、服务器DRAM和企业级SSD等AI硬件的需求可能会随之下降。

但美国银行的报告指出，从产业链反馈来看，存储芯片制造商认为Meta会继续在AI数据中心中积极采用HBM、LPDDR5和企业级SSD等高性能存储产品。因此，市场关于“Meta将出租此前过度投资的AI服务器或云基础设施”的猜测缺乏充分依据。

甚至部分NAND控制器芯片和封装基板材料的制造商表示，Meta的芯片及零部件订单依然在增加。因此，Meta向外部客户开放自有数据中心，更可能是一种资产变现和业务多元化的尝试，而非被迫处理严重的算力过剩。

美国银行的报告预计，苹果短期内大规模采用长鑫存储DRAM的可能性仍然较低。

长鑫存储理论上可以争取低端iPhone 18e的订单，但考虑到相关机型在中国市场的规模，实际采购量预计会有限。

与其真正重构供应链，苹果更可能借此提升在2026年下半年或2027年合约价格谈判中的议价能力，因此这一事件短期内更可能影响三星、海力士和美光的定价预期，而不是立即改变全球DRAM的供需格局。

近期另一个担忧源自韩国的新一轮半导体产业集群规划。

部分投资者认为，韩国政府计划在西南部地区投入约800万亿韩元建设新的存储晶圆厂集群，可能意味着存储周期已接近顶点，但美国银行对此持否定态度，并预计该项目在2030年代初之前难以形成大规模有效供给，且现阶段仍需优先推进龙仁和平泽产业集群在2026-2035年的扩建。

因此，一项横跨十余年的产业规划，不能直接等同于未来两三年供给即将失控，长期扩产值得持续关注，但尚不足以成为判断本轮存储周期见顶的直接依据。

美国银行近期在日本开展的产业链调研，也持续强化了对存储行业的乐观判断。

日本投资者普遍认可当前行业景气，但随着产品价格与相关股票的快速上涨，市场也开始更加关注潜在的下行周期。相较于投资者的谨慎，产业链管理层给出的判断依然偏积极：

这表明，尽管市场已开始提前讨论下一轮供给周期，但从生产商的实际扩产和客户采购行为来看，行业尚未进入明显的供给失控阶段。

在7月2日发布的报告中，美国银行预计，由于特别奖金支出以及智能手机业务利润率承压，三星电子二季度整体营业利润可能略低于市场较为乐观的预期；但由于DRAM与NAND平均售价强劲，存储业务单独计算的营业利润仍有望高于市场预期。

报告发布五天后，三星于7月7日公布了二季度初步业绩：合并销售额约171万亿韩元，营业利润约89.4万亿韩元，分别同比增长129.3%和1810.3%。其中，营业利润高于市场此前约86万亿韩元的预期，意味着美国银行关于集团整体利润可能略低于乐观预期的判断并未兑现。

不过，三星此次披露的仍是集团层面的初步业绩，尚未公布存储、晶圆代工及移动业务的详细利润数据，因此存储部门是否单独超出预期仍需等待完整财报确认。结合二季度DRAM、NAND价格上涨及韩国半导体出口的显著增长来看，存储业务大概率仍是推动三星本轮利润跃升的核心动力。

2026年6月，韩国半导体出口额达到448亿美元，环比增长21%，同比增长199%，并已连续六个月实现三位数同比增长。

这一数字约为2025年月均140亿美元的三倍，反映出当前存储涨价已开始明显传导至出口收入和企业盈利。

当然，出口额的上升并不完全意味着出货量同步增长，其中很大一部分增量源于产品平均售价的快速提升，但这也恰恰表明，当前产业链的核心矛盾仍然是价格上涨与供给紧张，而不是库存积压或需求明显萎缩。

韩国半导体出口额及同比增速：2026年6月出口显著跃升（原报告第2页）

TrendForce已将2026年三季度DRAM平均售价预测，由环比上涨3%-8%上调至13%-18%；美国银行则预计，2026年第二至第四季度DRAM平均售价将分别环比上涨53%、17%和7%。

虽然两组预测的具体口径有所不同，但共同指向同一趋势，即下半年DRAM仍将继续涨价，只是随着价格基数升高，环比涨幅可能逐季放缓。

截至2026年7月初，16Gb DDR5现货价格约为47美元，16Gb DDR4约为75美元，均明显高于上一轮存储周期的价格高点。核心原因并不仅仅是终端客户的补库存，而是存储厂商持续将晶圆产能转向利润率更高的HBM和服务器DRAM。

来源：Odaily星球日报