钨逐渐被钼取代：海力士375层NAND背后的赢家是这两类美股上游企业

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根据行业研究机构TrendForce的最新消息，海力士已经完成了375层NAND的设计验证，计划于2026年底开始量产，并将现有产能进行转型。这一验证的成功标志着一个经过多年酝酿的产业转折点的到来，芯片中使用了近25年的钨材料正在逐步被钼所取代。这场材料更替的真正受益者并不是存储制造商，而是在设备和耗材领域的上游企业。

需要指出的是，钼首次被引入金属布线中的是三星，而非海力士。三星在其286层第九代NAND中早已采用钼材料，该产品预计于2024年4月实现量产，目前正在将钼的应用扩展到更多的工艺步骤。而海力士此次是首次在自家产品线上使用钼，属于追赶而非创新。

此外，这款375层产品的开发过程也经历了一次规格调整。根据TheElec的报道，海力士最初的目标是400层，但由于高层堆叠制造的复杂性，最终决定将其调整至375层。尽管如此，这仍然是海力士NAND产品路线图上的重要一步，未来480层和604层产品预计将更依赖于钼材料。

钼替代钨的现象虽然并非存储行业独有，但却引发了一场行业级的变革。据报道，钨作为互连金属在NAND、DRAM及逻辑/代工的中段工艺中使用了近25年，但缩放要求如今已超越了钨的极限，钼成为最被看好的替代材料。

钼的优势不仅限于其低电阻特性。不同于钨和铜，钼无需阻挡层就能防止扩散，这简化了工序并提升了良率；其高熔点和抗氧化性能也使其更适合直接沉积，尤其是在3D NAND和逻辑端的GAA（全环绕栅极）等高深宽比结构中。换句话说，随着层数的增加和节点的缩小，钨的局限性愈加明显，而钼的应用空间则更为广泛。这正是“卖铲人”逻辑成立的重要基础，一旦替代普及，受益的将是提供工具和材料的环节。

在这个领域中，Lam Research（LRCX）是最直接且叙事最明确的公司。其计划于2025年2月推出的ALTUS Halo被称为业界首款将钼应用于量产的原子层沉积（ALD）工具，通常情况下，其电阻较传统钨金属化的改善超过50%。Lam表示，早期采用已在韩国和新加坡的高产能3D NAND工厂以及先进逻辑工厂进行，韩国主要针对三星和海力士，新加坡则对应美光。

生意的弹性隐藏在工序的复杂化中。根据Zacks的研究，Lam目前是唯一一家已有ALD钼工具投入量产的供应商，服务于代工和NAND客户。尽管钼的沉积速度较慢且更为复杂，但这使得Lam在这些先进节点上的单晶圆金属沉积可服务市场（SAM）扩大至三倍。因此，工序的复杂化反而为设备制造商带来了增量机会。

应用材料（AMAT）则采取了另一条路径。今年2月，该公司推出了Spectral ALD系统，用钼替代当前晶体管接触中的钨材料，从而降低晶体管与铜布线网络之间这一关键连接处的电阻，目前已被多家领先逻辑代工厂采纳。需要注意的是，Lam的钼应用主要集中在NAND/DRAM字线上，而AMAT则偏向于2nm GAA逻辑接触，两者的下游市场不同，因此不能统一看作同一受益逻辑。

在材料领域，Entegris（ENTG）作为代表公司，提供钼的固态前驱体二氯二氧化钼（MoO₂Cl₂），专为DRAM和3D NAND量身定制，并配套ProE-Vap输送系统。其推理在于材料转变所带来的连锁反应。Entegris指出，从铜和钨转向钼的变化将影响前驱体选择、抛光垫设计、研磨液配方、刻蚀材料及过滤等多个环节，尽管工艺更加分散，但仍贯穿多个工序。

至于存储厂本身，三星与海力士均不在美股主板，而美光（MU）是美股市场中唯一的纯存储标的，并且在钼的应用上占据了一席之地。Lam引述美光NAND开发副总裁Mark Kiehlbauch的话称，钼金属化使美光在最新一代NAND产品上率先实现了业界领先的I/O带宽和存储容量。然而，美光在钼的使用上是“用钼的人”，而非“卖钼受益的人”，其股价主要受存储周期和HBM的驱动，钼的应用仅作为性能的加分项。

理论上，钼矿商也算是这一叙述的边缘受益者，美股中可以对应以钼为铜矿副产品的Freeport-McMoRan（FCX）。但半导体领域对钼的需求实在有限。据TheElec和行业估算，三星去年采购约4吨钼，今年预计约10吨，海力士初步采购约4吨，整个行业到2030年预计也仅有80吨的需求。相较于以钢铁合金为主，年消耗以数十万吨计的全球钼市场，半导体的需求只是微不足道。因此，将矿商股价与NAND叙述挂钩并不成立。

因此，“钨退钼进”故事的真正落点在于，海力士的375层仅是一个起点，其实际影响范围涵盖了NAND、DRAM及材料等三大领域。在这场金属替代过程中，售卖工具和耗材的环节更具确定性，而使用钼的存储厂是性能的受益方，而非估值的受益者，而金属端则基本无法获利。

来源：Odaily星球日报