AI交易逻辑转变，全球芯片股大幅下跌

正文：

在10月13日周二，全球范围内的AI芯片股遭遇了持续的抛售，涵盖了韩国、日本及美国等多个市场，整个半导体行业面临显著的下滑。

韩国综合股价指数（KOSPI）最终下滑5.5%，而日本存储芯片制造商铠侠（Kioxia）则暴跌超过10%。在美国市场上，费城半导体指数（SOX）一度下跌超过3%，美光科技（MU）一度下跌超6%。其他公司如闪迪（SNDK）、希捷科技（STX）和西部数据（WDC）也经历了显著下滑，最低点时跌幅达6%。

午盘时美股芯片股的下跌势头有所减缓，收盘时费城半导体指数下跌约0.2%，美光收跌约3.6%，西部数据下跌约1.6%，希捷科技下滑0.8%，闪迪则跌约0.3%。

此次抛售并非源于单一因素。路透社的分析指出，经过近四年的AI基础设施投资热潮，市场情绪开始发生变化：利率上升、债券市场波动加剧、AI融资成本上升，以及巨额资本支出能否转化为实际收益，均受到更严格的审视。

上周，英伟达持股的数据中心运营商Firmus取消了原定在澳大利亚进行的50亿美元IPO计划。同时，中国存储芯片制造商长鑫科技公布了其4F² DRAM架构的研发进展，进一步加剧了市场对存储行业竞争格局的担忧。

长鑫的技术进展可能是此次存储股抛售的直接触发因素，但更深层的变化在于，投资者开始从追逐AI增长转向关注资本回报。

华尔街分析师指出，AI相关股票在今年的涨幅显著，存储芯片股尤其容易成为获利了结的目标；在交易密集且估值偏高的情况下，新的竞争信号足以引发集中的抛售。不过，一些分析人士认为，长鑫距离实现大规模量产仍有距离，尤其在高带宽内存（HBM）等先进领域，尚未对韩国厂商构成直接威胁。

自OpenAI推出ChatGPT以来，资金持续流入半导体公司、数据中心运营商、电信基础设施企业及其他受益于AI算力建设的公司。这一投资热潮推动了芯片股的显著上涨，并促进了数据中心建设和服务器等基础设施的资本开支不断扩大。

然而，这些交易的裂痕正在不同市场间扩散。路透社指出，相关资产的调整迹象早在6月就已出现，并在近期扩展至一级市场和信贷市场。上周，英伟达支持的数据中心运营商Firmus因投资者兴趣减退，暂停了原定在澳大利亚进行的50亿美元IPO，显示出资本市场对AI基础设施项目风险评估的收紧。

债券市场同样发出谨慎信号。随着AI相关融资需求的增加，投资者开始更加关注企业融资成本及其偿债能力。腾讯控股周二在香港发行美元债券和点心债，其10年期美元债的发行指导收益率比当时美国国债收益率高出约1.15个百分点。日本科技投资公司软银上月发行了规模达45亿美元的高收益债券，期限为七年半，承诺支付最高9.75%的利息。

利率及债券波动性成为市场重新定价的重要推力。悉尼威尔逊资产管理公司投资组合策略师达米安·博伊表示，关键变化不仅是债券收益率上升，还包括债券市场波动加剧，这种变化正逐渐影响各类资产的定价。他认为，AI领域的资本开支热潮可能会减缓，部分参与者也可能因此受到冲击。

贝莱德研究部门周一将美国股市展望下调至“中性”，理由是AI基础设施建设可能引发市场波动，并转而看好短期美国国债。国际货币基金组织（IMF）周二也警告，AI市场调整的影响可能扩展至全球。尽管AI投资有望推动经济增长，但相关投资能否产生与预期相符的收益，仍存在不确定性。

这意味着，市场关注的焦点正在转移：过去，投资者主要押注于算力需求的持续增长及相关企业的资本支出扩大；而现在，资本成本、融资可持续性及投资回报率，正成为影响估值的重要因素。

周二，亚洲市场的跌势延续至美国。韩国综合股价指数（KOSPI）盘中跌幅一度超过6%，连续五个交易日下跌；东京上市的存储芯片制造商铠侠收跌逾13%；韩国股票三星电子和SK海力士分别收跌超7%和10%。

美国芯片股同样承压。费城半导体指数（SOX）周一收跌约2.7%，周二盘中再度探底，早盘一度跌超3%，预计将连续五个交易日下跌，创下近17个月来的最长连跌记录。

存储及数据存储相关个股的跌幅尤其显著。美光科技（MU）盘中一度跌超6%，刷新日低时，希捷科技（STX）跌近8%，西部数据（WDC）跌超7%，SK海力士美股（SKHY）跌超6%，闪迪（SNDK）跌近6%。

此次调整备受关注，因相关股票此前已积累了可观的涨幅。截至本周一收盘，费城半导体指数今年以来仍有约72.8%的累计涨幅，美光股价在年内已涨超240%。之前的强劲上涨使得投资者对估值、持仓集中度和潜在竞争风险更加敏感。

从韩国存储巨头到美国芯片股，抛售范围不断扩大，表明市场的担忧已不再局限于某一企业的技术进展。投资者正在重新审视整个AI硬件产业链的估值基础，以及持续增加的资本投入是否能带来足够的利润和现金流。

长鑫科技的4F² DRAM架构研发进展，为本轮存储股调整提供了新的催化剂。

据上证报报道，长鑫科技总裁曹堪宇在10月9日至10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，介绍了公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方面的技术探索，并宣布预计在今年年底推出融合相关技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存产品。

目前，DRAM行业主流存储单元采用6F²架构。长鑫研发的4F²架构通过自研的VSG（垂直包围栅）晶体管，改变存储阵列的布局，旨在增强栅极控制、改善漏电问题并缩小存储单元面积，从而提高存储密度。如果这一方向能够实现稳定量产，将为中国厂商进一步进入服务器内存市场提供新的技术支持。

不过，长鑫的进展究竟会在多大程度上影响现有存储巨头，市场尚无一致看法。

Dakota Wealth的高级投资组合经理Robert Pavlik将本轮行情形容为获利了结潮。他表示，当投资者意识到潜在竞争可能来临时，市场参与者可能会同时涌向出口。这一比喻反映出，在交易密集的板块中，即便新的竞争威胁尚未转化为实际市场份额的变化，也可能迅速引发集中减仓。

媒体分析强调，尽管长鑫在技术上取得进展，但不应将其直接视为对现有厂商的即时威胁。

Rayliant Global Advisors首席市场策略师Phillip Wool认为，长鑫的技术进展是中国芯片产业的一个重要时刻，但周二海外芯片股的抛售规模可能与其近期的实际威胁并不匹配。他指出，长鑫尚未证明能实现大规模

来源：Odaily星球日报