存储芯片2倍杠杆ETF上市：美光财报超预期后，是否应该考虑$RAM加杠杆？

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导语：追踪存储芯片领域的2倍杠杆ETF「RAM」于6月24日正式上市。当天，美光发布了其历史上最高的季度财报，营收达到415亿美元，毛利率为84.9%，之后股价上涨超过12%。

作为底层标的的DRAM ETF在上市不到三个月的时间里吸引了超过200亿美元的资金，但其价格从高点回落约16%。RAM不仅能够放大反弹收益，同时也可能加剧回撤损失。本文将分析RAM的产品机制、主要风险以及当前的投资逻辑。

存储芯片行业正在经历一个微妙的阶段：基本面强劲，但价格却从高点有所回落。

6月24日上市的2倍杠杆ETF「RAM」，使得所有关注存储行业的投资者面临一个重要问题——在回调期间加杠杆是绝佳的抄底机会，还是可能加速亏损的风险？

在RAM上市的当天，美光科技公布了2026财年第三季度的业绩。

根据美光向SEC提交的8-K文件，该季度营收为414.6亿美元，同比增长346%，大幅超出华尔街预期的347亿美元。非GAAP每股收益为25.11美元，市场预期为20美元。毛利率达到84.9%，创下公司新纪录，去年同期仅为39%。其中，DRAM产品的营收占到了313亿美元（占比76%），数据中心业务则增长超过7倍，达到115亿美元。

更为重要的是前瞻指引：第四季度的营收预期为500亿美元（±10亿美元），毛利率预计约为86%。CEO Sanjay Mehrotra同时宣布签署了16份战略客户协议，确保多年的供应承诺。根据CNBC的报道，美光盘后股价上涨约12.6%。

这份财报的重要性在于，它验证了存储超级周期的核心逻辑：供给受限、价格持续上升、利润率依然扩张。高盛此前预测，2026年DRAM市场的供需缺口将达到4.9%，为近15年来最严峻的情况。美光披露，公司中期内只能满足客户需求的50%至三分之二，全年HBM的产能已被合同锁定。这是考虑使用RAM加杠杆的投资者需要关注的基本面背景。

RAM的全称是Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF，由Roundhill Investments与T-REX（REX Shares与Tuttle Capital Management的合资公司）共同发行，并于6月24日在Cboe BZX交易所上市。

其标的为Roundhill Memory ETF（代码DRAM），这是一只专注于存储芯片的ETF，仅纳入超过50%营收来自存储业务的公司。DRAM于4月2日上市，10个交易日内管理规模突破10亿美元，截至6月24日，AUM已超过200亿美元，总回报达到179.84%，成为ETF行业增长最快的产品之一。

RAM的机制是：每个交易日重新平衡，目标是实现DRAM当日收益的200%。例如，若DRAM上涨3%，RAM的目标则上涨6%；若DRAM下跌3%，RAM的目标则下跌6%。目前的净费率为1.25%（免除至2027年9月）。托管机构为花旗银行，当前不支持期权交易。

SK海力士约占29%、美光约占27%、三星约占21%，这三只股票合计占基金净资产的约77%。其余持仓包括Kioxia、SanDisk、西部数据和希捷等，权重均为低个位数。这三家公司正是全球唯一的三家HBM供应商。

RAM的风险主要体现在持有方式，而非方向判断。Roundhill在招募书中明确指出：该基金「并不适合所有投资者」，仅适合那些了解杠杆风险并愿意频繁监控持仓的投资者。

风险一：波动衰减。杠杆ETF每日重新平衡，即使标的资产最终持平，杠杆ETF也可能遭受亏损。例如，DRAM第一天上涨10%、第二天下跌10%，两天后DRAM的净值仅为原来的99%（亏损1%），而RAM的净值则下降至原来的96%（亏损4%）。震荡越剧烈、持有时间越长，衰减现象越明显。这意味着RAM适合短期方向性交易，而不适合长期持有。

风险二：持仓集中且叠加杠杆。DRAM ETF的77%仓位集中在三只股票上，RAM对此加上2倍杠杆。6月23日韩国KOSPI暴跌10%，三星与SK海力士均下跌超过12%，DRAM ETF当日下跌约14%。若RAM当时上市，理论上单日跌幅将接近28%。尽管KOSPI次日反弹3.3%，但这种极端波动与2倍杠杆的叠加，对仓位管理能力构成了严峻考验。

风险三：时区错配。DRAM ETF约49%的底层资产（三星、SK海力士）在首尔交易，在美股交易时段内其价格无法实时反映。韩股的隔夜波动将在美股开盘时集中释放，造成跳空缺口，而RAM将这种缺口放大2倍。

截至6月24日收盘，DRAM ETF报68.35美元，自6月19日的52周高点81.34美元回调约16%。美光收盘价为1057.59美元，因财报上涨约12.6%至1190美元附近。

以简化模型进行推演：假设美光财报催化DRAM ETF在6月25日反弹8%（考虑到韩股同步反弹），RAM的目标收益将约为16%。反之，若市场对美光财报的利好反应减弱，DRAM ETF再跌5%，RAM将面临约10%的亏损。

需要注意的是，DRAM ETF从4月上市价到当前68美元，涨幅依然可观（总回报179.84%）。即使从高点回调16%，在高位建仓的投资者已经面临浮亏。

在此位置进入RAM，投资者押注于美光财报能引发新一轮反弹周期，而非延续下行趋势。

支撑这一判断的数据包括：美光的Q4指引为500亿美元，远超市场预期，预示着营收环比将增长20%。据Everstream Analytics数据，预计到2026年，约70%的高端DRAM产能将流向AI数据中心。SK海力士的2026年第一季度营业利润率将达到72%。多家机构预测存储短缺将持续至2028年甚至更久。

在覆盖美光的27位分析师中，有25位给予买入评级，平均目标价仅比6月22日收盘价高出约3%，上行空间已经非常有限。DRAM ETF上市仅三个月就经历了两次触发韩股熔断的波动，表明该板块的beta非常高。通过RAM加杠杆，实际上是在用2倍杠杆投资一个beta已高的资产。若方向正确，回报丰厚；若方向错误，退出的窗口可能比预期狭窄。

对于看好存储超级周期但不具备日内交易能力的投资者而言，DRAM ETF本身（费率0.65%、无杠杆）可能是更为稳健的选择。当前68美元的价位较高点回调16%，如果认可美光财报所验证的基本面逻辑，DRAM ETF允许投资者在犯错后有更多修正空间；而RAM则不提供这样的余地。

来源：Odaily星球日报